PSMN1R2-25YLC

Symbol Micros: TPSMN1r2-25ylc
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK
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N-MOSFET-Transistor; 25V; 25V; 20V; 2,75 mOhm; 100A; 179W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,75mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 179W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Msx. Drain-Gate Spannung: 25V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PSMN1R2-25YLC RoHS 1C225L Gehäuse: LFPAK Datenblatt
Auf Lager:
29 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 49+ 196+
Nettopreis (EUR) 1,2021 0,8823 0,7073 0,6069 0,5719
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Standard-Verpackung:
49
Widerstand im offenen Kanal: 2,75mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 179W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Msx. Drain-Gate Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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