PSMN2R0-25MLDX

Symbol Micros: TPSMN2r0-25ml
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
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N-MOSFET-Transistor; 25V; 25V; 20V; 5,2 mOhm; 70A; 74W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,2mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Msx. Drain-Gate Spannung: 25V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PSMN2R0-25MLD RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3928 1,0641 0,8797 0,7709 0,7331
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 5,2mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Msx. Drain-Gate Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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