PSMN2R8-80BS,118 NEXPERIA

Symbol Micros: TPSMN2r8-80bs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Nexperia
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Nexperia
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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