PSMN3R5-30YL NXP

Symbol Micros: TPSMN3r5-30yl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
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N-MOSFET 30V 100A 3.5mΩ 74W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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