PSMN3R9-100YSFX

Symbol Micros: TPSMN3R9-100ysfx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,3mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 294W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN3R9-100YSFX Gehäuse: LFPAK  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4079
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,3mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 294W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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