PSMN3R9-100YSFX
Symbol Micros:
TPSMN3R9-100ysfx
Gehäuse: LFPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 294W |
| Gehäuse: | LFPAK |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 294W |
| Gehäuse: | LFPAK |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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