PSMN3R9-100YSFX

Symbol Micros: TPSMN3R9-100ysfx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,3mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 294W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN3R9-100YSFX Gehäuse: LFPAK  
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Nettopreis (EUR) 1,0332
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,3mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 294W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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