PSMN4R0-40YS

Symbol Micros: TPSMN4r0-40ys

Gehäuse: LFPAK

N-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 20V; 8mOhm; 100A; 106W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: PSMN4R0-40YS,115;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	106W
Gehäuse:	LFPAK
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Msx. Drain-Gate Spannung:	40V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PSMN4R0-40YS RoHS Gehäuse: LFPAK Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0365	0,6894	0,5714	0,5147	0,4934

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	106W
Gehäuse:	LFPAK
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Msx. Drain-Gate Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD