PSMN4R2-80YSEX

Symbol Micros: TPSMN4R2-80YSEX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK56 (SOT669)
Zu favoriten hinzufügen
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 170A
Maximaler Leistungsverlust: 294W
Gehäuse: LFPAK56E
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 80V
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN4R2-80YSEX Gehäuse: LFPAK56 (SOT669)  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2269
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 170A
Maximaler Leistungsverlust: 294W
Gehäuse: LFPAK56E
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole