PSMN4R2-80YSEX
Symbol Micros:
TPSMN4R2-80YSEX
Gehäuse: LFPAK56 (SOT669)
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 170A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 294W |
| Gehäuse: | LFPAK56E |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 80V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 170A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 294W |
| Gehäuse: | LFPAK56E |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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