PSMN6R0-30YLB,115 NEXPERIA

Symbol Micros: TPSMN6r0-30ylb

Gehäuse: LFPAK

N-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 13,4 mOhm; 71A; 58W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: PSMN6R0-30YLB.115;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	13,4mOhm
Max. Drainstrom:	71A
Maximaler Leistungsverlust:	58W
Gehäuse:	LFPAK
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	30V

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN6R0-30YLB,115 Gehäuse: LFPAK

Externes Lager:

4500 stk.

Anzahl Stück	1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1734

Widerstand im offenen Kanal:	13,4mOhm
Max. Drainstrom:	71A
Maximaler Leistungsverlust:	58W
Gehäuse:	LFPAK
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD