PSMN6R0-30YLB,115 NEXPERIA

Symbol Micros: TPSMN6r0-30ylb
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Gehäuse: LFPAK
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 13,4 mOhm; 71A; 58W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: PSMN6R0-30YLB.115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,4mOhm
Max. Drainstrom: 71A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 13,4mOhm
Max. Drainstrom: 71A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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