PSMN6R0-30YLB,115 NEXPERIA

Symbol Micros: TPSMN6r0-30ylb
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 13,4 mOhm; 71A; 58W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: PSMN6R0-30YLB.115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,4mOhm
Max. Drainstrom: 71A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN6R0-30YLB,115 Gehäuse: LFPAK  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1700
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN6R0-30YLB,115 Gehäuse: LFPAK  
Externes Lager:
4500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1736
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,4mOhm
Max. Drainstrom: 71A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole