PSMN8R7-100YSFX
Symbol Micros:
TPSMN8r7-100ysfx
Gehäuse: LFPAK
NextPower 100 V, 9 mohm N-channel MOSFET in LFPAK56
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 90A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 198W |
| Gehäuse: | LFPAK56 (SOT669) |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 90A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 198W |
| Gehäuse: | LFPAK56 (SOT669) |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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