PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.

Symbol Micros: TPSMNR55-40SSHJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88 transistors - fets, mosfets - single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 0,55mOhm
Max. Drainstrom: 500A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: LFPAK88
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 0,55mOhm
Max. Drainstrom: 500A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: LFPAK88
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD