PUMB10

Symbol Micros: TPUMB10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xPNP 100mA 50V 300mW 180MHz +res. 2.2k+47k 2xPNP 100mA 50V 300mW 180MHz +res. 2.2k+47k
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 180MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PUMB10,115 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2885 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1600 0,0759 0,0428 0,0324 0,0291
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 180MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

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