PUMB10
Symbol Micros:
TPUMB10
Gehäuse: SOT363
2xPNP 100mA 50V 300mW 180MHz +res. 2.2k+47k 2xPNP 100mA 50V 300mW 180MHz +res. 2.2k+47k
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 180MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PUMB10,115 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2885 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1596 | 0,0757 | 0,0427 | 0,0323 | 0,0290 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PUMB10,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 18000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0290 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 180MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xPNP |
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