PUMD10,115
Symbol Micros:
TPUMD10
Gehäuse: TSSOP06 =>SC-88,SOT-363
Transistor Digital BJT NP?nPNP 50V 100mA Transistor Digital BJT NP?nPNP 50V 100mA
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | TSSOP06 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Grenzfrequenz: | 180MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PUMD10,115 RoHS
Gehäuse: SC-88 t/r
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1396 | 0,0640 | 0,0349 | 0,0260 | 0,0233 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | TSSOP06 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Grenzfrequenz: | 180MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP+NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole