PUMD30 NEXPERIA

Symbol Micros: TPUMD30
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin TSSOP Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin TSSOP
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PUMD30,115 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2125 0,1162 0,0762 0,0659 0,0607
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

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