PUMD6 NXP

Symbol Micros: TPUMD6

Gehäuse: SC-88

Transistor NPN/PNP; 200; 300mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN/PNP; 200; 300mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	NXP
Stromverstärkungsfaktor:	200
Gehäuse:	SC-88
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PUMD6.115 RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,1515	0,0715	0,0399	0,0321	0,0276

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	NXP
Stromverstärkungsfaktor:	200
Gehäuse:	SC-88
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN/PNP