PUMH11-QX

Symbol Micros: TPUMH11-QX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363 t/r
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R PUMH11-QF; PUMH11-QX;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PUMH11-QX Gehäuse: SOT363 t/r  
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120000 stk.
Anzahl Stück 18000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0213
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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