PUMH11-QX
Symbol Micros:
TPUMH11-QX
Gehäuse: SOT363 t/r
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R PUMH11-QF; PUMH11-QX;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 230MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 230MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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