PZT751T1G

Symbol Micros: TPZT751
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223
Parameter
Verlustleistung: 800mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 75
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 75MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: PZT751T1G RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4278 0,2359 0,1855 0,1718 0,1647
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: PZT751T1G Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1647
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: PZT751T1G Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1647
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 800mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 75
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 75MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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