PZT751T1G

Symbol Micros: TPZT751
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223
Parameter
Verlustleistung: 800mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 75
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 75MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: PZT751T1G RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4299 0,2370 0,1864 0,1727 0,1655
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 800mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 75
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 75MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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