PZTA14 JGSEMI

Symbol Micros: TPZTA14 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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NPN Darlington-Transistor; 20000; 2W; 30V; 500mA; 125MHz; -65°C~150°C; Äquivalent: PZTA14,115; PZTA14,135; PZTA14H6327XTSA1;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 125MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: PZTA14 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3059 0,1620 0,1256 0,1159 0,1110
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 2W
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 125MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN

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