QS5K2TR

Symbol Micros: TQS5K2TR

Gehäuse: SOT23-5

2N-MOSFET 30V 2A 1.25W 2N-MOSFET 30V 2A 1.25W

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	154mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23-5
Hersteller:	ROHM
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	12V

Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: QS5K2TR Gehäuse: SOT23-5

Externes Lager:

4200 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1584

Widerstand im offenen Kanal:	154mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23-5
Hersteller:	ROHM
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD