BT137B-800

Symbol Micros: TR008bt137b-800
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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It=8A; Vdrm=800V; Igt=35mA;
Parameter
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Strom: 8A
Gatestrom: 35mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: BT137B-800.118 RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
44 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9426 0,6909 0,5556 0,4748 0,4487
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Strom: 8A
Gatestrom: 35mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac

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