BT137B-800

Symbol Micros: TR008bt137b-800
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
It=8A; Vdrm=800V; Igt=35mA;
Parameter
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Strom: 8A
Gatestrom: 35mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: BT137B-800.118 RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
44 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9375 0,6872 0,5526 0,4723 0,4463
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: BT137B-800,118 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
3650 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4463
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: BT137B-800,118 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4463
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Strom: 8A
Gatestrom: 35mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac