BT137B-800

Symbol Micros: TR008bt137b-800
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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It=8A; Vdrm=800V; Igt=35mA;
Parameter
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Strom: 8A
Gatestrom: 35mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: BT137B-800.118 RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
34 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9040 0,6626 0,5328 0,4554 0,4304
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: BT137B-800,118 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
2050 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4304
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Strom: 8A
Gatestrom: 35mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac

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