RCD50N06

Symbol Micros: TRCD50N06 REA

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 37mOhm; 37A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; AOD442

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	37mOhm
Max. Drainstrom:	37A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	RealChip
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-10-31

Anzahl Stück: 1000

Widerstand im offenen Kanal:	37mOhm
Max. Drainstrom:	37A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	RealChip
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD