RCQ5402

Symbol Micros: TRCQ5402
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN08(5x6)
Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 140A; 120W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AON6144;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,2mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Max. Drainstrom: 140A
Gehäuse: DFN08(5x6)
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RCQ5402 RoHS Gehäuse: DFN08(5x6) Datenblatt
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500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,4060 0,2249 0,1776 0,1612 0,1561
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 3,2mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Max. Drainstrom: 140A
Gehäuse: DFN08(5x6)
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD