RD3G03BATTL1

Symbol Micros: TRD3G03BATTL1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO-252 (D-PAK)
Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 19,1 mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19,1mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 56W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RD3G03BATTL1 RoHS Gehäuse: TO-252 (D-PAK) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,7182 1,3623 1,1596 1,0653 1,0111
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RD3G03BATTL1 Gehäuse: TO-252 (D-PAK)  
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0111
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 19,1mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 56W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole