RE1C002UNTCL
Symbol Micros:
TRE1c002untcl
Gehäuse: SOT416FL
N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 4,8 Ohm; 200mA; 150 mW; -55 °C ~ 150 °C; SC-89, SOT-490
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 150mW |
Gehäuse: | SOT416FL |
Hersteller: | ROHM |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ROHM - Japan
Hersteller-Teilenummer: RE1C002UNTCL RoHS QR.
Gehäuse: SOT416FL
Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 150+ | 750+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1974 | 0,0786 | 0,0481 | 0,0387 | 0,0359 |
Hersteller: ROHM - Japan
Hersteller-Teilenummer: RE1C002UNTCL
Gehäuse: SOT416FL
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0359 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 150mW |
Gehäuse: | SOT416FL |
Hersteller: | ROHM |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole