RE1C002UNTCL

Symbol Micros: TRE1c002untcl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT416FL
N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 4,8 Ohm; 200mA; 150 mW; -55 °C ~ 150 °C; SC-89, SOT-490
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,8Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT416FL
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RE1C002UNTCL RoHS QR. Gehäuse: SOT416FL Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1974 0,0786 0,0481 0,0387 0,0359
Standard-Verpackung:
150
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RE1C002UNTCL Gehäuse: SOT416FL  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0359
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,8Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT416FL
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD