RE1C002UNTCL
Symbol Micros:
TRE1c002untcl
Gehäuse: SOT416FL
N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 4,8 Ohm; 200mA; 150 mW; -55 °C ~ 150 °C; SC-89, SOT-490
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150mW |
| Gehäuse: | SOT416FL |
| Hersteller: | ROHM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ROHM - Japan
Hersteller-Teilenummer: RE1C002UNTCL RoHS QR.
Gehäuse: SOT416FL
Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 150+ | 750+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1989 | 0,0791 | 0,0484 | 0,0390 | 0,0361 |
Hersteller: ROHM - Japan
Hersteller-Teilenummer: RE1C002UNTCL
Gehäuse: SOT416FL
Externes Lager:
60000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0361 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150mW |
| Gehäuse: | SOT416FL |
| Hersteller: | ROHM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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