RFD14N05LSM

Name: TRFD14N05lsm TRFD14N05lsm
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TRFD14N05lsm
Price: 0.4164 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TRFD14N05lsm

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 10V; 100 mOhm; 14A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: RFD14N05LSM9A;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Max. Drainstrom:	14A
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Msx. Drain-Gate Spannung:	50V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: RFD14N05LSM RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK)

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	75+	300+
Nettopreis (EUR)	0,8743	0,5798	0,4785	0,4348	0,4164

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: RFD14N05LSM Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

3858 stk.

Anzahl Stück	1800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4164

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: RFD14N05LSM9A Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

12500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4164

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Max. Drainstrom:	14A
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Msx. Drain-Gate Spannung:	50V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD