RFD14N05LSM

Symbol Micros: TRFD14N05lsm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 10V; 100 mOhm; 14A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: RFD14N05LSM9A;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: RFD14N05LSM RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,8856 0,5851 0,4826 0,4417 0,4212
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Standard-Verpackung:
75
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: RFD14N05LSM Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
9383 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4212
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Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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