RFP50N06

Symbol Micros: TRFP50N06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 131W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 131W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: RFP50N06 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7349 1,3820 1,1826 1,0634 1,0199
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: RFP50N06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1284 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0199
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 131W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole