RFP50N06
Symbol Micros:
TRFP50N06
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 131W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 131W |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 131W |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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