RFP50N06

Symbol Micros: TRFP50N06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 131W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 131W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: RFP50N06 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
102 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7737 1,3146 1,0944 1,0689 1,0434
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 131W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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