RFP50N06 TO220AB VBSEMI ELEC

Symbol Micros: TRFP50N06 VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 60A; 136W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: VBM1615;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Max. Drainstrom: 60A
Gehäuse: TO220
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: RFP50N06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9742 0,6495 0,5008 0,4848 0,4642
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Max. Drainstrom: 60A
Gehäuse: TO220
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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