RFP70N06

Symbol Micros: TRFP70N06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET 70A 60V 150W 0.014Ω RFP70N06
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: RFP70N06 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,1344 1,7902 1,5907 1,4673 1,4222
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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