RJP020N06T100 ROHM

Symbol Micros: TRJP020n06t100
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 12V; 300 mOhm; 2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT89
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RJP020N06T100 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
82 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5737 0,3597 0,2986 0,2657 0,2492
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RJP020N06T100 Gehäuse: SOT89  
Externes Lager:
44000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2492
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT89
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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