RN1427
Symbol Micros:
TRN1427
Gehäuse: SC-59
NPN 50V 800mA 200mW 300MHz +res. 22k+10k NPN 50V 800mA 200mW 300MHz +res. 22k+10k
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Stromverstärkungsfaktor: | 90 |
| Gehäuse: | SC-59 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Toshiba
Hersteller-Teilenummer: RN1427(TE85L,F) RoHS QG.
Gehäuse: SC-59 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
199 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2940 | 0,1881 | 0,1318 | 0,1146 | 0,1071 |
Hersteller: Toshiba
Hersteller-Teilenummer: RN1427(TE85L,F)
Gehäuse: SC-59
Externes Lager:
210000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1071 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Stromverstärkungsfaktor: | 90 |
| Gehäuse: | SC-59 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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