RQ3L070ATTB

Symbol Micros: TRQ3L070ATTB

Gehäuse: HSMT8 (3.2x3)

PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	32mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	20W
Gehäuse:	HSMT8
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	32mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	20W
Gehäuse:	HSMT8
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD