RQ6E035ATTCR

Symbol Micros: TRQ6e035attcr
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RQ6E035ATTCR RoHS Gehäuse: SOT23-6/t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6014 0,3821 0,3019 0,2736 0,2618
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole