RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor

Symbol Micros: TRUM001l02t2cl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT723
MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3 SOT-723
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT723
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RUM001L02T2CL RoHS Gehäuse: SOT723 Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3500+
Nettopreis (EUR) 0,1381 0,0658 0,0370 0,0281 0,0251
Standard-Verpackung:
3500
Widerstand im offenen Kanal: 18Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT723
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD