RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM
Symbol Micros:
TRV8C010UNHZGG2CR
Gehäuse: SOT883
Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin DFN-W
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 470mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | SOT883 |
| Hersteller: | ROHM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 470mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | SOT883 |
| Hersteller: | ROHM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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