RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM

Symbol Micros: TRV8L002SNHZGG2CR
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN1010-3W
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 250mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: DFN1010-3W
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 250mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: DFN1010-3W
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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