S8050 SOT23-3 BORN

Symbol Micros: TS8050 BORN

Gehäuse: SOT23

NPN 500mA 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS NPN 500mA 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS

Parameter

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	BORN
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: S8050 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

590 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,0941	0,0373	0,0220	0,0162	0,0145

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	BORN
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN