S8050 China

Symbol Micros: TS8050 c

Gehäuse: SOT23

Transistor NPN; 350; 300mW, 25V; 500mA; 150MHz, -55°C ~ 150°C; Ersatz: MOSLEADER S8050-ML; KST8050S; S8050-L-YAN;

Parameter

Verlustleistung:	300mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	MIC
Stromverstärkungsfaktor:	350
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V

Verlustleistung:	300mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	MIC
Stromverstärkungsfaktor:	350
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN