S8050 MDD(MICRODIODE)
Symbol Micros:
TS8050 MDD
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
Hersteller: | MDD |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
Hersteller: | MDD |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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