S8050 MDD(MICRODIODE)

Symbol Micros: TS8050 MDD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: MDD
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: S8050 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0435 0,0162 0,0087 0,0065 0,0060
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: MDD
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN