SCT040H65G3AG STMicroelectronics

Symbol Micros: TSCT040H65G3AG
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AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 221W
Gehäuse: H2PAK-7
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: SCT040H65G3AG Gehäuse:    
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 6,6860
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: SCT040H65G3AG Gehäuse:    
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 6,9518
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: SCT040H65G3AG Gehäuse:    
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 6,4422
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 221W
Gehäuse: H2PAK-7
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 22V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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