SCT3080ALGC11

Symbol Micros: TSCT3080algc11
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 22V; 104 mOhm; 30A; 134W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT3080ALGC11: Rohm;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 104mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 134W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SCT3080ALGC11 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Nettopreis (EUR) 12,5642 12,0674 11,7102 11,3861 11,2181
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2
Widerstand im offenen Kanal: 104mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 134W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 22V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole