SCT3080KLGC11

Symbol Micros: TSCT3080klgc11
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 22V; 104 mOhm; 31A; 165 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT3080KLGC11: Rohm;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 104mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 165W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SCT3080KLGC11 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Nettopreis (EUR) 15,2485 14,7440 14,3756 14,0376 13,8616
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Standard-Verpackung:
2
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SCT3080KLGC11 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 13,8616
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SCT3080KLGC11 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
295 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 13,8616
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 104mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 165W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 22V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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