SCT3080KLGC11

Symbol Micros: TSCT3080klgc11
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Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 22V; 104 mOhm; 31A; 165 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT3080KLGC11: Rohm;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 104mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 165W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SCT3080KLGC11 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
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2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Nettopreis (EUR) 15,1617 14,6600 14,2937 13,9577 13,7827
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Standard-Verpackung:
2
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SCT3080KLGC11 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
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Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 13,7827
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 104mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 165W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 22V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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