SCT3160KLGC11

Symbol Micros: TSCT3160klgc11
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 22V; 208mOhm; 17A; 103W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT3160KLGC11: Rohm;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 208mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 103W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SCT3160KLGC11 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Nettopreis (EUR) 10,7371 10,3137 10,0085 9,7294 9,5875
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SCT3160KLGC11 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 9,5875
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 208mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 103W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 22V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole