SH8JC5TB1

Symbol Micros: TSH8JC5TB1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Äquivalent: SH8JC5TB1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SH8JC5TB1 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,2258 2,6677 2,3366 2,1758 2,0812
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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