SI1012CR-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI1012cr
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 8V; 1,1Ohm; 630mA; 240mW; -55°C ~ 150°C; SI1012CR-T1-GE3
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 630mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 240mW |
| Gehäuse: | SC75-3 (SOT416) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-30
Anzahl Stück: 3000
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 630mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 240mW |
| Gehäuse: | SC75-3 (SOT416) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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