SI1021R-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI1021r
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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