SI1022R-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI1022r
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 330mA; 250 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 330mA
Maximaler Leistungsverlust: 250mW
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI1022R-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SC75-3 (SOT416) Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4609 0,2553 0,2016 0,1903 0,1841
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 330mA
Maximaler Leistungsverlust: 250mW
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole