SI1330EDL
Symbol Micros:
TSI1330edl
Gehäuse: SC70-3
Trans MOSFET N-CH 60V 0,24A 3-Pin SC-70 Äquivalent: SI1330EDL-T1-E3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 240mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280mW |
| Gehäuse: | SC70-3 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 240mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280mW |
| Gehäuse: | SC70-3 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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