SI2301 SOT23 HOTTECH

Name: TSI2301 c TSI2301 c
Brand: HOTTECH
SKU: TSI2301c
Price: 0.0135 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2301 c

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 150 mOhm; 2,3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	HOTTECH
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: SI2301 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

13200 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0879	0,0347	0,0202	0,0148	0,0135

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	HOTTECH
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD