SI2301

Symbol Micros: TSI2301 YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23t/r
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Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; YFW2301B;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 64mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW2301B RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
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Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0785 0,0309 0,0181 0,0132 0,0121
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3000
Widerstand im offenen Kanal: 64mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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