SI2301

Symbol Micros: TSI2301 YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23t/r
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YFW2301B;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 64mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW2301B RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0959 0,0378 0,0220 0,0161 0,0147
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 64mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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