AS2302

Symbol Micros: TSI2302 ANB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2302;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: AnBon
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Hersteller: AnBon Hersteller-Teilenummer: AS2302 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
8500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Nettopreis (EUR) 0,1110 0,0442 0,0222 0,0177 0,0171
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Standard-Verpackung:
3000/9000
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: AnBon
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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