SI2302CDS

Symbol Micros: TSI2302cds

Gehäuse: SOT23-3

N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	2,6A
Maximaler Leistungsverlust:	710mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2302CDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3418	0,1888	0,1485	0,1374	0,1318

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2302CDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

225000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1318

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2302CDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1318

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	2,6A
Maximaler Leistungsverlust:	710mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD